公布日：2022.02.22

申請(qǐng)日：2021.10.20

分類(lèi)號(hào)：C02F9/14(2006.01)I;C02F3/30(2006.01)N;C02F1/52(2006.01)N;C02F1/56(2006.01)N;C02F1/78(2006.01)N;C02F1/00(2006.01)N;

C02F1/44(2006.01)N;C02F1/469(2006.01)N;C02F101/12(2006.01)N;C02F103/36(2006.01)N

摘要

本發(fā)明公開(kāi)了一種燒堿皂化法環(huán)氧丙烷廢水的資源化處理方法。經(jīng)酸化、氯醇化和燒堿皂化工序制環(huán)氧丙烷產(chǎn)生的高NaCl廢水，不稀釋鹽度，通過(guò)冷卻降溫、均質(zhì)調(diào)節(jié)、高鹽生化、混凝沉淀、臭氧氧化、吸附過(guò)濾等步驟，凈化處理至TOC<10mg/L；直接作為化鹽用水�；蛳炔捎秒姖B析EDR濃縮至近飽和鹽水后再作為化鹽用水回用至離子膜燒堿裝置鹽水精制工序。本發(fā)明方法凈化處理后直接或凈化濃縮至近飽和濃鹽水后再回用于離子膜燒堿裝置，脫鹽水則回用于生產(chǎn)，可實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)廢水100%資源化、循環(huán)處理和近零排放。具有重要的社會(huì)環(huán)境意義。

權(quán)利要求書(shū)

1.一種燒堿皂化法環(huán)氧丙烷廢水的資源化處理方法，其特征在于：燒堿皂化法制環(huán)氧丙烷產(chǎn)生的高NaCl廢水，在不稀釋鹽度條件下，采用以下步驟凈化處理至TOC<10mg/L。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種燒堿皂化法環(huán)氧丙烷廢水的資源化處理方法，其特征在于，步驟（3）高鹽生化段的具體步驟如下：

3.1接種石灰皂化法制環(huán)氧丙烷生產(chǎn)廢水曝氣池活性污泥至厭氧水解單元、好氧活性污泥法單元和接觸氧化單元，且初始活性污泥接種濃度不低于6000mg/L，用于培養(yǎng)和馴化厭氧水解菌群、好氧菌群和生物膜菌群；

3.2厭氧水解段安裝HSEM益菌生剛性填料，所述填料直徑為40~80mm，安裝間距為100~200mm，安裝填充率為40~60%；采用穿孔管曝氣或OHR旋流曝氣進(jìn)行水力攪拌；正常運(yùn)行期控制懸浮污泥MLSS為4000~6000mg/L、溶解氧<0.2mg/L、ORP< 100mV；

3.3好氧活性污泥法段安裝HSEM生物繩填料，所述填料直徑為20~50mm，安裝間距為50~150mm，安裝填充率為30~40%；采用旋流曝氣或射流曝氣進(jìn)行充氧；正常運(yùn)行期控制MLSS為6000~8000mg/L、溶解氧為3.0~5.0mg/L；3.4接觸氧化段安裝HSEM生物繩填料，所述填料直徑為20~30mm，安裝間距為50~120mm；采用旋流曝氣或射流曝氣進(jìn)行充氧和攪拌；正常運(yùn)行期溶解氧為4.0~6.0mg/L或氣水比為10~15。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種燒堿皂化法環(huán)氧丙烷廢水的資源化處理方法，其特征在于：厭氧水解段停留時(shí)間為6h，HSEM益菌生填料直徑為40mm，安裝間距為120mm；好氧段停留時(shí)間為10h，HSEM生物繩填料直徑為20mm，安裝間距為100mm；接觸氧化段停留時(shí)間為8h，HSEM生物繩填料直徑為20mm，安裝間距為60mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種燒堿皂化法環(huán)氧丙烷廢水的資源化處理方法，其特征在于：步驟（4）混凝沉淀采用磁絮凝工藝；且步驟（3）高鹽生化出水先加鹽酸調(diào)pH為3~4脫氣后，再加堿調(diào)pH為7~8，再依次投加磁絮凝劑和助凝劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種燒堿皂化法制環(huán)氧丙烷生產(chǎn)高鹽NaCl廢水的資源化處理方法，其特征在于：步驟（5）臭氧氧化段中：臭氧氧化工藝為O3/H2O2 生物膜耦合工藝，其中O3/H2O2段水力停留時(shí)間為0.5h，生物膜段水力停留時(shí)間為2~4h；O3投加濃度為10~60mg/L、H2O2與O3與投加質(zhì)量比為0.4~0.6。

6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的一種燒堿皂化法環(huán)氧丙烷廢水的資源化處理方法，其特征在于：所述高NaCl廢水經(jīng)步驟（1）~（6）凈化處理后，進(jìn)入步驟（7）鹽水濃縮系統(tǒng)，將鹽水中NaCl濃度提高至18~20%且TOC＜10mg/L后再作為化鹽用水回用于離子膜燒堿裝置鹽水精制工序，脫鹽水處理至NaCl＜200mg/L回用于環(huán)氧丙烷裝置生產(chǎn)用水。

7.根據(jù)權(quán)利要求6任一項(xiàng)所述的一種燒堿皂化法環(huán)氧丙烷廢水的資源化處理方法，其特征在于：所述鹽水濃縮系統(tǒng)由超濾UF單元、電滲析EDR單元和反滲透RO單元組成；廢水先進(jìn)入超濾UF單元去除SS、膠體及其它EDR膜污染物，然后進(jìn)入EDR單元將NaCl行濃縮分離；EDR單元產(chǎn)高濃度NaCl鹽水回用于氯堿離子膜電解裝置鹽水精制單元，EDR單元產(chǎn)低濃度NaCl鹽水進(jìn)入RO單元進(jìn)一步脫鹽，RO單元產(chǎn)脫鹽水回用于生產(chǎn)，RO單元產(chǎn)濃鹽水回到權(quán)利要求1~6任一項(xiàng)中的步驟（4）~（6）進(jìn)行處理；或者，所述鹽水濃縮系統(tǒng)由超濾UF單元、納濾NF單元、高壓反滲透DTRO單元和鹽水蒸發(fā)濃縮單元組成。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種燒堿皂化法環(huán)氧丙烷廢水的資源化處理方法，其特征在于：所述鹽水濃縮系統(tǒng)由超濾UF單元、納濾NF單元、電滲析EDR單元和反滲透RO單元組成；廢水依次超濾UF、納濾NF單元去除硬度、SS、膠體、有機(jī)物及其它EDR膜污染物，納濾NF出水進(jìn)入EDR單元將NaCl行濃縮分離；EDR單元產(chǎn)高濃度NaCl鹽水回用于氯堿離子膜電解裝置鹽水精制單元，EDR單元產(chǎn)低濃度NaCl鹽水進(jìn)入RO單元進(jìn)行脫鹽和鹽濃縮，RO單元產(chǎn)脫鹽水回用于生產(chǎn)，RO單元產(chǎn)濃鹽水回到權(quán)利要求1~6任一項(xiàng)中的步驟（4）~（6）進(jìn)行處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的一種燒堿皂化法環(huán)氧丙烷生產(chǎn)高NaCl廢水的資源化處理方法，其特征在于：所述電滲析EDR單元設(shè)計(jì)脫鹽率為50%~60%，產(chǎn)高濃鹽水NaCl濃度為18~20%，產(chǎn)低鹽水NaCl濃度為1.8~2.3%；低鹽水進(jìn)入反滲透RO單元，且RO單元脫鹽率不低于99.6%。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的一種燒堿皂化法環(huán)氧丙烷廢水的資源化處理方法，其特征在于：步驟（1）~（3）所述步驟單元的設(shè)計(jì)廢水處理規(guī)模均為Q，則（4）~（6）所述步驟單元的廢水設(shè)計(jì)處理規(guī)模為2Q。

（發(fā)明人：徐軍;王強(qiáng);李坤;王開(kāi)春;張文杰;田鳳蓉;洪磊;劉志奎）