公布日：2022.05.31
申請(qǐng)日：2022.03.02
分類號(hào)：C02F3/30(2006.01)I;C02F101/10(2006.01)N;C02F101/16(2006.01)N;C02F101/38(2006.01)N
摘要
本發(fā)明涉及一種自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備。該污水處理設(shè)備包括自養(yǎng)反硝化池，自養(yǎng)反硝化池內(nèi)設(shè)有反硝化填料層。反硝化填料層的填料包括自活性脫氮除磷載體材料，自活性脫氮除磷載體材料包括含硫載體及分散填充于含硫載體的弱堿性礦物材料、鐵基材料及微生物生長促進(jìn)劑，自活性脫氮除磷載體材料的比表面積較大且均一性高，能夠獲得較高的脫氮效率且脫氮效果穩(wěn)定，因而能夠有效提高污水處理設(shè)備的脫氮效率，同時(shí)還能夠獲得同步除磷的效果。
權(quán)利要求書
1.一種自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備，其特征在于，包括自養(yǎng)反硝化池；所述自養(yǎng)反硝化池內(nèi)設(shè)有反硝化填料層，所述反硝化填料層的填料包括自活性脫氮除磷載體材料，所述自活性脫氮除磷載體材料包括含硫載體、弱堿性礦物材料、鐵基材料及微生物生長促進(jìn)劑；所述弱堿性礦物材料、所述鐵基材料及所述微生物生長促進(jìn)劑分散填充于所述含硫載體；所述含硫載體為負(fù)載有硫磺的多孔載體材料。
2.如權(quán)利要求1所述的自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備，其特征在于，所述自活性脫氮除磷載體材料通過將所述含硫載體、所述弱堿性礦物材料、所述鐵基材料及所述微生物生長促進(jìn)劑沸騰造粒制備；及/或，所述多孔載體材料選自多孔生物炭、硅藻土、海泡石及沸石中的至少一種；及/或，所述弱堿性礦物材料選自氫氧化鎂及氧化鎂中的至少一種；及/或，所述鐵基材料選自還原性零價(jià)鐵粉及海綿鐵粉中的至少一種；及/或，所述含硫載體、所述弱堿性礦物材料、所述鐵基材料及所述微生物生長促進(jìn)劑的質(zhì)量比為(1-20)：(1-10)：(1-5)：(1-5)。
3.如權(quán)利要求1所述的自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備，其特征在于，所述自養(yǎng)反硝化池內(nèi)還設(shè)有脫氧填料層，所述脫氧填料層較所述反硝化填料層更加靠近所述自養(yǎng)反硝化池的底部。
4.如權(quán)利要求1所述的自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備，其特征在于，還包括沖洗機(jī)構(gòu)，所述沖洗機(jī)構(gòu)包括沖氣件和沖液件，所述沖氣件連接于所述反硝化填料層以用于對(duì)所述反硝化填料層進(jìn)行氣體沖洗，所述沖液件連接于所述反硝化填料層以用于對(duì)所述反硝化填料層進(jìn)行液體沖洗。
5.如權(quán)利要求4所述的自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備，其特征在于，所述沖洗機(jī)構(gòu)還包括反硝化進(jìn)水壓力傳感器和反硝化出水壓力傳感器，所述反硝化進(jìn)水壓力傳感器位于所述反硝化填料層的下方，所述反硝化出水壓力傳感器位于所述反硝化填料層的上方，所述反硝化進(jìn)水壓力傳感器和所述反硝化出水壓力傳感器分別用于檢測(cè)通過所述反硝化填料層前后的水壓信息。
6.如權(quán)利要求5所述的自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備，其特征在于，所述反硝化進(jìn)水壓力傳感器和所述反硝化出水壓力傳感器分別與控制器電性連接，所述控制器通過所述反硝化進(jìn)水壓力傳感器和反硝化出水壓力傳感器檢測(cè)到的水壓信息控制沖洗的啟停。
7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備，其特征在于，還包括浸沒式HEBR生物反應(yīng)器，所述自養(yǎng)反硝化池位于所述浸沒式HEBR生物反應(yīng)器的下游以用于接收經(jīng)過所述浸沒式HEBR生物反應(yīng)器處理之后的污水；所述浸沒式HEBR生物反應(yīng)器包括好氧池、曝氣機(jī)構(gòu)以及三相分離反應(yīng)機(jī)構(gòu)，所述曝氣機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述好氧池的底部，所述好氧池的底部具有進(jìn)液口，所述三相分離反應(yīng)機(jī)構(gòu)包括分區(qū)支撐件、阻隔板、導(dǎo)流板以及擋流板，所述分區(qū)支撐件設(shè)置在所述好氧池的內(nèi)部且其軸向上的兩端分別連接于所述好氧池相對(duì)的第一內(nèi)壁和第二內(nèi)壁，所述分區(qū)支撐件的下方區(qū)域形成底部生化區(qū)，所述阻隔板位于所述分區(qū)支撐件的上方且其軸向上的兩端分別連接于所述第一內(nèi)壁和所述第二內(nèi)壁，所述阻隔板的兩側(cè)分別朝下彎曲，所述分區(qū)支撐件軸向的兩側(cè)分別連接有所述導(dǎo)流板，所述導(dǎo)流板上下兩側(cè)分別突出于所述分區(qū)支撐件，所述阻隔板與所述分區(qū)支撐件之間且靠近于所述阻隔板的區(qū)域形成集氣區(qū)，所述分區(qū)支撐件兩側(cè)連接的所述導(dǎo)流板之間的區(qū)域形成過渡生化區(qū)，所述阻隔板的兩側(cè)分別連接有所述擋流板，所述擋流板朝向所述底部生化區(qū)方向延伸至突出于所述分區(qū)支撐件，所述擋流板與所述阻隔板之間形成用于連通所述底部生化區(qū)與所述過渡生化區(qū)的導(dǎo)流通道，所述擋流板與所述好氧池的內(nèi)壁之間、相鄰的所述擋流板之間的區(qū)域形成固液分離區(qū)。
8.如權(quán)利要求7所述的自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備，其特征在于，還包括中間水池，所述中間水池位于所述HEBR生物反應(yīng)器和所述自養(yǎng)反硝化池之間，所述HEBR生物反應(yīng)器出水口與所述自養(yǎng)反硝化池進(jìn)水口分別與所述中間水池連接。
9.如權(quán)利要求7所述的自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備，其特征在于，所述三相分離反應(yīng)機(jī)構(gòu)還包括長邊導(dǎo)氣板以及短邊導(dǎo)氣板，所述分區(qū)支撐件兩側(cè)的所述導(dǎo)流板的底部分別連接有所述長邊導(dǎo)氣板或所述短邊導(dǎo)氣板，所述長邊導(dǎo)氣板和所述短邊導(dǎo)氣板均朝向所述底部生化區(qū)延伸，所述分區(qū)支撐件兩側(cè)的所述導(dǎo)流板上的所述長邊導(dǎo)氣板或所述短邊導(dǎo)氣板相互遠(yuǎn)離，所述好氧池的內(nèi)壁上連接有與所述長邊導(dǎo)氣板配合的所述短邊導(dǎo)氣板，或與所述短邊導(dǎo)氣板配合的所述長邊導(dǎo)氣板，所述短邊導(dǎo)氣板的末端指向?qū)?yīng)的所述長邊導(dǎo)氣板并與所述長邊導(dǎo)氣板之間形成污泥回流縫。10.如權(quán)利要求9所述的自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備，其特征在于，所述三相分離反應(yīng)機(jī)構(gòu)還包括硝化液收集管，所述硝化液收集管的一端延伸至所述過渡生化區(qū)內(nèi)且另一端延伸至缺氧池內(nèi)，所述硝化液收集管用于收集所述過渡生化區(qū)內(nèi)的硝化液并按預(yù)定比例定量回流至缺氧池內(nèi)。
發(fā)明內(nèi)容
基于此，有必要提供一種能夠有效提高脫氮效率的自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備。
為了解決以上技術(shù)問題，本申請(qǐng)的技術(shù)方案為：
一種自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備，其特征在于，包括自養(yǎng)反硝化池；所述自養(yǎng)反硝化池內(nèi)設(shè)有反硝化填料層，所述反硝化填料層的填料包括自活性脫氮除磷載體材料，所述自活性脫氮除磷載體材料包括含硫載體、弱堿性礦物材料、鐵基材料及微生物生長促進(jìn)劑；所述弱堿性礦物材料、所述鐵基材料及所述微生物生長促進(jìn)劑分散填充于所述含硫載體；所述含硫載體為負(fù)載有硫磺的多孔載體材料。
在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述自活性脫氮除磷載體材料通過將所述含硫載體、所述弱堿性礦物材料、所述鐵基材料及所述微生物生長促進(jìn)劑沸騰造粒制備；
及/或，所述多孔載體材料選自多孔生物炭、硅藻土、海泡石及沸石中的至少一種；
及/或，所述弱堿性礦物材料選自氫氧化鎂及氧化鎂中的至少一種；
及/或，所述鐵基材料選自還原性零價(jià)鐵粉及海綿鐵粉中的至少一種；
及/或，所述含硫載體、所述弱堿性礦物材料、所述鐵基材料及所述微生物生長促進(jìn)劑的質(zhì)量比為(1-20)：(1-10)：(1-5)：(1-5)。
在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述自養(yǎng)反硝化池內(nèi)還設(shè)有脫氧填料層，所述脫氧填料層較所述反硝化填料層更加靠近所述自養(yǎng)反硝化池的底部。
在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備還包括沖洗機(jī)構(gòu)，所述沖洗機(jī)構(gòu)包括沖氣件和沖液件，所述沖氣件連接于所述反硝化填料層以用于對(duì)所述反硝化填料層進(jìn)行氣體沖洗，所述沖液件連接于所述反硝化填料層以用于對(duì)所述反硝化填料層進(jìn)行液體沖洗。
在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述沖洗機(jī)構(gòu)還包括反硝化進(jìn)水壓力傳感器和反硝化出水壓力傳感器，所述反硝化進(jìn)水壓力傳感器位于所述反硝化填料層的下方，所述反硝化出水壓力傳感器位于所述反硝化填料層的上方，所述反硝化進(jìn)水壓力傳感器和所述反硝化出水壓力傳感器分別用于檢測(cè)通過所述反硝化填料層前后的水壓信息。
在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述反硝化進(jìn)水壓力傳感器和所述反硝化出水壓力傳感器分別與控制器電性連接，所述控制器通過所述反硝化進(jìn)水壓力傳感器和反硝化出水壓力傳感器檢測(cè)到的水壓信息控制沖洗的啟停。
在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備還包括浸沒式HEBR生物反應(yīng)器，所述自養(yǎng)反硝化池位于所述浸沒式HEBR生物反應(yīng)器的下游以用于接收經(jīng)過所述浸沒式HEBR生物反應(yīng)器處理之后的污水；
所述浸沒式HEBR生物反應(yīng)器包括好氧池、曝氣機(jī)構(gòu)以及三相分離反應(yīng)機(jī)構(gòu)，所述曝氣機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述好氧池的底部，所述好氧池的底部具有進(jìn)液口，所述三相分離反應(yīng)機(jī)構(gòu)包括分區(qū)支撐件、阻隔板、導(dǎo)流板以及擋流板，所述分區(qū)支撐件設(shè)置在所述好氧池的內(nèi)部且其軸向上的兩端分別連接于所述好氧池相對(duì)的第一內(nèi)壁和第二內(nèi)壁，所述分區(qū)支撐件的下方區(qū)域形成底部生化區(qū)，所述阻隔板位于所述分區(qū)支撐件的上方且其軸向上的兩端分別連接于所述第一內(nèi)壁和所述第二內(nèi)壁，所述阻隔板的兩側(cè)分別朝下彎曲，所述分區(qū)支撐件軸向的兩側(cè)分別連接有所述導(dǎo)流板，所述導(dǎo)流板上下兩側(cè)分別突出于所述分區(qū)支撐件，所述阻隔板與所述分區(qū)支撐件之間且靠近于所述阻隔板的區(qū)域形成集氣區(qū)，所述分區(qū)支撐件兩側(cè)連接的所述導(dǎo)流板之間的區(qū)域形成過渡生化區(qū)，所述阻隔板的兩側(cè)分別連接有所述擋流板，所述擋流板朝向所述底部生化區(qū)方向延伸至突出于所述分區(qū)支撐件，所述擋流板與所述阻隔板之間形成用于連通所述底部生化區(qū)與所述過渡生化區(qū)的導(dǎo)流通道，所述擋流板與所述好氧池的內(nèi)壁之間、相鄰的所述擋流板之間的區(qū)域形成固液分離區(qū)。
在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備還包括中間水池，所述中間水池位于所述HEBR生物反應(yīng)器和所述自養(yǎng)反硝化池之間，所述HEBR生物反應(yīng)器出水口與所述自養(yǎng)反硝化池進(jìn)水口分別與所述中間水池連接。
在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述三相分離反應(yīng)機(jī)構(gòu)還包括長邊導(dǎo)氣板以及短邊導(dǎo)氣板，所述分區(qū)支撐件兩側(cè)的所述導(dǎo)流板的底部分別連接有所述長邊導(dǎo)氣板或所述短邊導(dǎo)氣板，所述長邊導(dǎo)氣板和所述短邊導(dǎo)氣板均朝向所述底部生化區(qū)延伸，所述分區(qū)支撐件兩側(cè)的所述導(dǎo)流板上的所述長邊導(dǎo)氣板或所述短邊導(dǎo)氣板相互遠(yuǎn)離，所述好氧池的內(nèi)壁上連接有與所述長邊導(dǎo)氣板配合的所述短邊導(dǎo)氣板，或與所述短邊導(dǎo)氣板配合的所述長邊導(dǎo)氣板，所述短邊導(dǎo)氣板的末端指向?qū)?yīng)的所述長邊導(dǎo)氣板并與所述長邊導(dǎo)氣板之間形成污泥回流縫。
在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述三相分離反應(yīng)機(jī)構(gòu)還包括硝化液收集管，所述硝化液收集管的一端延伸至所述過渡生化區(qū)內(nèi)且另一端延伸至缺氧池內(nèi)，所述硝化液收集管用于收集所述過渡生化區(qū)內(nèi)的硝化液并按預(yù)定比例定量回流至缺氧池內(nèi)。
上述自養(yǎng)反硝化脫氮污水處理設(shè)備包括自養(yǎng)反硝化池，自養(yǎng)反硝化池內(nèi)設(shè)有反硝化填料層。反硝化填料層的填料包括自活性脫氮除磷載體材料，自活性脫氮除磷載體材料包括含硫載體及分散填充于含硫載體的弱堿性礦物材料、鐵基材料及微生物生長促進(jìn)劑，自活性脫氮除磷載體材料的比表面積較大且均一性高，能夠獲得較高的脫氮效率且脫氮效果穩(wěn)定，因而能夠有效提高污水處理設(shè)備的脫氮效率，同時(shí)還能夠獲得同步除磷的效果。
（發(fā)明人：張柳喬;王磊;王勝凡;左晶;蔡小濱;李建;毛克威）
