申請日2015.08.28
公開(公告)日2016.03.09
IPC分類號C02F9/04; C02F101/10
摘要
從排放廢水中去除微粒硅的方法。根據(jù)各種實施例的一種從排放廢水中去除微粒硅的方法可以包括:向排放廢水添加堿,添加的堿的量相對于所述排放廢水中所包含的全部量的硅到原硅酸或原硅酸鹽離子的基本氧化反應是亞化學計量的;將排放廢水和堿的所得混合物維持在預定溫度范圍中達一個時間段,從而形成包括硅的沉積;以及使沉積與排放廢水彼此分離。
權利要求書
1.一種從排放廢水中去除微粒硅的方法,所述方法包括:
向排放廢水添加堿,所添加的堿的量相對于排放廢水中所包含的全部量的硅到原硅酸的基本氧化反應是亞化學計量的;
將排放廢水和堿的所得混合物維持在預定溫度范圍中達一個時間段,從而形成包括硅的沉積;以及
使沉積與排放廢水彼此分離。
2.權利要求1所述的方法,其中,堿包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣、氫氧化鋇以及氨中的一個或多個。
3.權利要求1所述的方法,其中,以堿性溶液的形式添加所述堿。
4.權利要求3所述的方法,其中,所述堿性溶液選自由以下項目組成的組:氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液、氫氧化鈣溶液、氫氧化鋇溶液、氨溶液及其組合。
5.權利要求1所述的方法,其中,以這樣的量將堿添加到排放廢水:在排放廢水中通過堿所提供的水氫氧離子與排放廢水中所包含的硅的摩爾比率等于或小于1:1。
6.權利要求1所述的方法,其中,以這樣的量將堿添加到排放廢水:在污水中通過堿所提供的水氫氧離子與排放廢水中所包含的硅的摩爾比率大于或等于0.01:1。
7.權利要求1所述的方法,其中,預定溫度范圍等于或高于40℃。
8.權利要求1所述的方法,其中,預定溫度范圍小于堿的沸騰溫度。
9.權利要求1所述的方法,其中,預定溫度范圍等于或小于90℃。
10.權利要求1所述的方法,其中,時間段大于或等于2分鐘。
11.權利要求1所述的方法,其中,時間段小于或等于14分鐘。
12.權利要求1所述的方法,所述方法還包括:
將從由以下項目組成的組中選擇的成分添加到排放廢水:磷酸氫二銨、磷酸一銨、硫酸銨、硫酸氫銨及其組合。
13.權利要求12所述的方法,其中,以等于或小于20mol%的量添加所述成分。
14.權利要求12所述的方法,其中,以等于或多于5mol%的量添加所述成分。
15.權利要求1所述的方法,其中,所述排放廢水源自一個或多個芯片的生產(chǎn)和/或來自一個或多個晶片的處理。
16.權利要求1所述的方法,其中,排放廢水包含質(zhì)量濃度等于或小于每升250mg的硅粒子,或者其中,排放廢水中所包含的硅粒子的大小在亞微米范圍中。
17.權利要求1所述的方法,其中,在不存在共沉淀反應或沉淀反應的情況下形成所述沉積,或者其中,在不添加金屬鹽的情況下將微粒硅從排放廢水中去除。
18.權利要求1所述的方法,其中,排放廢水包含摻雜劑,并且其中,所述摻雜劑經(jīng)由沉積與硅一起從排放廢水中至少部分地去除。
19.一種從排放廢水中去除微粒硅的方法,所述方法包括:
以這樣的量將堿添加到排放廢水:在排放廢水中通過堿所提供的水氫氧離子與排放廢水中所包含的硅的摩爾比率小于或等于2:1;
將堿和排放廢水的所得混合物維持在預定溫度范圍中達一個時間段,從而允許形成包括硅的沉積;以及
將沉積與排放廢水彼此分離。
20.一種從排放廢水中去除微粒硅的方法,所述方法包括:
為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的0.02至0.1mol的溶解的氫氧化鈉,或者
為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的0.02至0.1mol的溶解的氫氧化鉀,或者
為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的0.01至0.05mol的溶解的氫氧化鈣,或者
為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的0.02至0.1mol的溶解的氫氧化鋇,或者
為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的0.02至0.1mol的銨,或者
為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的0.02至0.1mol的溶解的氫氧化鈉,其中,溶解的氫氧化鈉部分地或全部地被以下中的一個或多個取代:1:1摩爾取代率的溶解的氫氧化鉀,1:2摩爾取代率的溶解的氫氧化鈣,1:2摩爾取代率的溶解的氫氧化鋇,以及1:1摩爾取代率的銨;
將溶解的氫氧化鈉、溶解的氫氧化鉀,溶解的氫氧化鈣、溶解的氫氧化鋇以及銨中的一個或多個與排放廢水的所得混合物維持在預定溫度范圍中達一個時間段,以便允許形成包括硅的沉積;以及
將沉積與排放廢水彼此分離。
說明書
從排放廢水中去除微粒硅的方法
技術領域
各種實施例涉及從排放廢水中去除微粒硅的方法。
背景技術
排放廢水可能由工業(yè)過程產(chǎn)生。此類排放廢水可能包含固體含量。例如,固體含量可以包括或形成粒子。例如,固體含量可以包括硅。例如,排放廢水及其固體含量可能由生產(chǎn)一個或多個半導體芯片和/或處理一個或多個半導體晶片而產(chǎn)生。例如,處理半導體晶片(諸如通過研磨、拋光以及打薄晶片中的一個或多個)可能導致排放廢水包含在排放廢水中懸浮或分布的小的粒子形式的硅。例如,排放廢水及其固體含量可以額外地包含摻雜劑,例如砷。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)各種實施例,一種從排放廢水中去除微粒硅的方法可以包括:向排放廢水添加堿(base),相對于排放廢水中所包含的全部量的硅到原硅酸(Si(OH)4)的基本氧化反應,所添加的堿的量是亞化學計量的(sub-stoichiometric);將排放廢水和堿的所得混合物維持在預定溫度范圍中達一個時間段,從而形成包括硅的沉積;以及使沉積與排放廢水彼此分離。
根據(jù)各種實施例,一種從排放廢水中去除微粒硅的方法可以包括:以這樣的量將堿添加到排放廢水:在排放廢水中通過堿所提供的水氫氧離子與排放廢水中所包含的硅的摩爾比率小于或等于2:1,例如,小于或等于1:1;將堿和排放廢水的所得混合物維持在預定溫度范圍中達一個時間段,從而允許形成包括硅的沉積;以及將沉積與排放廢水彼此分離。
根據(jù)各種實施例,一種從排放廢水中去除微粒硅的方法可以包括:為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的0.02至0.1mol的溶解的氫氧化鈉,或者為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的0.02至0.1mol的溶解的氫氧化鉀,或者為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的0.01至0.05mol的溶解的氫氧化鈣,或者為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的0.02至0.1mol的溶解的氫氧化鋇,或者為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的0.02至0.1mol的銨,或者為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的0.02至0.1mol的溶解的氫氧化鈉,其中,溶解的氫氧化鈉部分地或全部地用以下中的一個或多個取代:1:1摩爾取代率的溶解的氫氧化鉀,1:2摩爾取代率的溶解的氫氧化鈣(也就是說,可以用一部分的氫氧化鈣取代兩部分的氫氧化鈉),1:2摩爾取代率的溶解的氫氧化鋇,以及1:1摩爾取代率的銨;將溶解的氫氧化鈉、溶解的氫氧化鉀,溶解的氫氧化鈣、溶解的氫氧化鋇以及銨中的一個或多個與排放廢水的所得混合物維持在預定溫度范圍中達一個時間段,以便允許形成包括硅的沉積;以及將沉積與排放廢水彼此分離。