申請(qǐng)日2014.02.25
公開(kāi)(公告)日2014.12.24
IPC分類號(hào)B01J20/22; C02F1/28; B01J20/30
摘要
本發(fā)明提供選擇性優(yōu)異的吸附劑。實(shí)施方式的吸附劑是在表面具備具有雙齒氮螯合物官能團(tuán)的配體的無(wú)機(jī)多孔質(zhì)體，在紅外吸收光譜的1375cm-1以上1400cm-1以下附近觀測(cè)到的源自配體的峰的半峰全寬為5cm-1以上50cm-1以下。
權(quán)利要求書(shū)
1.吸附劑，其是在表面具備具有雙齒氮螯合物官能團(tuán)的配體的無(wú) 機(jī)多孔質(zhì)體，
在紅外吸收光譜的1375cm-1以上1400cm-1以下附近觀測(cè)到的源自 所述配體的峰的半峰全寬為5cm-1以上50cm-1以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附劑，其中，所述配體具有乙二胺結(jié) 構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附劑，其中，所述配體在吸附劑中含 有4wt%以上30wt%以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附劑，其中，所述無(wú)機(jī)多孔質(zhì)體的粒 徑為30μm～400μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附劑，其中，所述無(wú)機(jī)多孔質(zhì)體的細(xì) 孔徑為3.0nm～9.0nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附劑，其中，所述無(wú)機(jī)多孔質(zhì)體為硅 膠。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的吸附劑，其中，在半徑的球體狀區(qū)域內(nèi)存在所述配體配對(duì)的四個(gè)氮。
8.吸附劑的制造方法，其具有：
使金屬離子與具有雙齒氮螯合物官能團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑的螯合物配 位鍵合的工序、
將配位鍵合了所述金屬離子的硅烷偶聯(lián)劑向硅膠表面進(jìn)行修飾的 工序、以及
將所述配位鍵合的金屬離子從所述被修飾的載體去除的工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的吸附劑的制造方法，其中，所述硅烷偶 聯(lián)劑相對(duì)于所述金屬離子為1.5摩爾當(dāng)量以上2.3摩爾當(dāng)量的比率，
通過(guò)將所述硅烷偶聯(lián)劑和所述金屬離子的鹽進(jìn)行混合而形成配位 鍵合。
10.水處理系統(tǒng)，其具有：
吸附裝置，具備吸附劑，所述吸附劑是在表面具備具有雙齒氮螯 合物官能團(tuán)的配體的無(wú)機(jī)多孔質(zhì)體，在紅外吸收光譜的1375cm-1以上 1400cm-1以下附近觀測(cè)到的源自所述配體的峰的半峰全寬為5cm-1以 上50cm-1以下;
供應(yīng)裝置，向吸附裝置供應(yīng)含有金屬離子的被處理介質(zhì);
排出裝置，從所述吸附裝置排出所述被處理介質(zhì);
測(cè)定裝置，設(shè)于所述吸附裝置的供應(yīng)側(cè)或排出側(cè)的至少一方的， 用于測(cè)定所述被處理介質(zhì)中的金屬離子的含量;以及
控制裝置，在基于來(lái)自所述測(cè)定裝置的信息而求得的值達(dá)到事先 設(shè)定的值時(shí)，用于減少?gòu)乃龉⿷?yīng)裝置向吸附裝置供應(yīng)的被處理介質(zhì) 的供應(yīng)量。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的水處理系統(tǒng)，其中，所述配體具有乙 二胺結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的水處理系統(tǒng)，其中，所述配體在吸附 劑中含有4wt%以上30wt%以下。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的水處理系統(tǒng)，其中，所述無(wú)機(jī)多孔質(zhì) 體的粒徑為30μm～400μm。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的水處理系統(tǒng)，其中，所述無(wú)機(jī)多孔質(zhì) 體的細(xì)孔徑為3.0nm～9.0nm。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的水處理系統(tǒng)，其中，所述無(wú)機(jī)多孔質(zhì) 體為硅膠。
16.根據(jù)權(quán)利要求10～15中任一項(xiàng)所述的水處理系統(tǒng)，其中，在 半徑的球體狀區(qū)域內(nèi)存在所述配體配對(duì)的四個(gè)氮。
17.水處理用罐，其具備吸附劑，所述吸附劑是在表面具備具有 雙齒氮螯合物官能團(tuán)的配體的無(wú)機(jī)多孔質(zhì)體，在紅外吸收光譜的 1375cm-1以上1400cm-1以下附近觀測(cè)到的源自所述配體的峰的半峰全 寬為5cm-1以上50cm-1以下。
說(shuō)明書(shū)
吸附劑、吸附劑的制造方法、水處理系統(tǒng)及水處理罐
技術(shù)領(lǐng)域
實(shí)施方式涉及吸附劑、吸附劑的制造方法、水處理系統(tǒng)及水處理 罐。
背景技術(shù)
金屬長(zhǎng)期以來(lái)多用于產(chǎn)業(yè)上，由于其大多是有害的，因此，因被 污染的工廠排水，過(guò)去曾經(jīng)引起各種各樣的公害。近年來(lái)，金屬雖然 被去除至極低濃度，但其去除技術(shù)大部分是凝集沉淀處理，金屬被污 泥化后進(jìn)行填埋處置。金屬如果被排放是有害的，但如果被回收的話， 變?yōu)橛袃r(jià)值的物質(zhì)也不少�；厥杖芤褐泻械慕饘俚姆椒ǹ膳e出沉淀 分離法、電解法、溶劑提取法、離子交換樹(shù)脂法、螯合物樹(shù)脂法等， 排水的重金屬處理經(jīng)常使用可處理至極低濃度的螯合物樹(shù)脂法。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1：特許第3481617號(hào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
實(shí)施方式提供具有高選擇性的吸附劑。
用于解決課題的手段
實(shí)施方式的吸附劑是在表面具備具有雙齒氮螯合物官能團(tuán)的配體 的無(wú)機(jī)多孔質(zhì)體，在紅外吸收光譜的1375cm-1以上1400cm-1以下附近 觀測(cè)到的源自雙齒配體的峰的半峰全寬為5cm-1以上50cm-1以下。
