申請日2015.11.12
公開(公告)日2016.03.23
IPC分類號C02F9/14
摘要
本發(fā)明公開高濃度難降解液晶電子工業(yè)廢水的深度處理方法：a)無機廢水進入第一物化反應(yīng)池調(diào)節(jié)PH，加氯化鈣，進入絮凝池，加混凝劑和絮凝劑，進入第一高效澄清器;有機廢水進入第二物化反應(yīng)池調(diào)節(jié)PH，加混凝劑和絮凝劑，進入第二高效澄清器;b)將第一、第二高效澄清器中的廢水排入水解酸化厭氧池中混合、處理，然后經(jīng)過缺氧池和好氧池處理;c)廢水進入膜生物反應(yīng)池中處理;d)廢水進入活性炭過濾器，出水殺菌，加阻垢劑和還原劑，調(diào)節(jié)PH后排入精密過濾器;e)廢水進入RO反滲透膜分離裝置處理形成中水。本發(fā)明將廢水經(jīng)過處理形成中水進行回用或達標(biāo)排放;對廢水適應(yīng)性強，經(jīng)濟性好，處理成本較低，占地面積少，便于工程應(yīng)用及推廣。
權(quán)利要求書
1.一種高濃度難降解液晶電子工業(yè)廢水的深度處理方法，其特征在于，包括以下步驟：
a)收集無機廢水，將無機廢水送入無機調(diào)節(jié)池，無機調(diào)節(jié)池調(diào)節(jié)出水量，無機調(diào)節(jié)池的出水進入第一物化反應(yīng)池，加入強酸或者強堿調(diào)節(jié)PH值，將調(diào)節(jié)好的PH值記為第一PH值，加入氯化鈣，第一物化反應(yīng)池的出水進入絮凝池，加入混凝劑和絮凝劑，使無機廢水中的重金屬離子及重金屬化合物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)沉淀;絮凝池的出水進入第一高效澄清器進行泥水分離，去除沉淀后的氟化物、重金屬離子及重金屬化合物;
收集有機廢水，將有機廢水送入有機調(diào)節(jié)池，有機調(diào)節(jié)池調(diào)節(jié)出水量，有機調(diào)節(jié)池的出水進入第二物化反應(yīng)池，加入強酸或者強堿調(diào)節(jié)PH值，將調(diào)節(jié)好的PH值記為第二PH值，加入混凝劑和絮凝劑，第二物化反應(yīng)池的出水進入第二高效澄清器進行泥水分離;
b)將所述第一高效澄清器和所述第二高效澄清器的出水排入水解酸化厭氧池中混合，所述水解酸化厭氧池中設(shè)有懸掛式塑料生物填料，經(jīng)過水解酸化厭氧生物處理工藝，將廢水中難降解的有機大分子轉(zhuǎn)化為易降解的有機小分子，出水經(jīng)過好氧池和缺氧池處理后去除有機物、總氮、氨氮;
c)將去除有機物、總氮和氨氮后的廢水排入膜生物反應(yīng)池中處理;
d)將膜生物反應(yīng)池的出水排入活性炭過濾器，進行過濾和反沖洗處理，出水經(jīng)過紫外線殺菌消毒，加入阻垢劑和還原劑，調(diào)節(jié)PH值后排入精密過濾器中進行過濾;
e)將精密過濾器的出水排入RO反滲透膜分離裝置處理，形成中水。
2.如權(quán)利要求1所述的高濃度難降解液晶電子工業(yè)廢水的深度處理方法，其特征在于：步驟a)中所述第一PH值為8.5，所述第二PH值為8，所述混凝劑包括聚合氯化鋁，所述絮凝劑包括聚丙烯酰胺，所述強堿包括氫氧化鈉，所述強酸包括硫酸。
3.如權(quán)利要求1所述的高濃度難降解液晶電子工業(yè)廢水的深度處理方法，其特征在于：步驟b)中所述水解酸化厭氧池內(nèi)設(shè)有用于使所述膜生物反應(yīng)池內(nèi)的污泥回流的水下潛水?dāng)嚢铏C。
4.如權(quán)利要求1所述的高濃度難降解液晶電子工業(yè)廢水的深度處理方法，其特征在于：步驟b)中所述好氧池包括一級好氧池和二級好氧池，所述缺氧池包括一級缺氧池和二級缺氧池，所述水解酸化厭氧池的出水依次經(jīng)過所述一級缺氧池、一級好氧池、二級缺氧池和二級好氧池進行處理;一級缺氧池水力停留時間為7小時，一級缺氧池中的反硝化負(fù)荷為0.02kgNO3-N/kgMLVSS.d,污泥 濃度為4500mg/L;一級好氧池水力停留時間為15小時，污泥負(fù)荷為0.194kgBOD5/kgMLSS.d，污泥濃度為5500mg/L，氣水比為23:1;二級缺氧池水力停留時間為4.8小時，反硝化負(fù)荷為0.02kgNO3-N/kgMLVSS.d，污泥濃度為4500mg/L;二級好氧池水力停留時間為12小時，污泥負(fù)荷為0.06kgBOD5/kgMLSS.d，污泥濃度為6500mg/L，污泥齡為35天，氣水比為10:1。
5.如權(quán)利要求3所述的高濃度難降解液晶電子工業(yè)廢水的深度處理方法，其特征在于：步驟c)中所述膜生物反應(yīng)池內(nèi)設(shè)有膜體，所述膜體包括中空纖維PVDF膜，所述中空纖維PVDF膜的膜孔徑為0.1微米，平均膜通量為18.3LMH，所述膜生物反應(yīng)池中的活性污泥濃度為6000-12000mg/L,溶解氧為2mg/L，所述膜生物反應(yīng)池的污泥濃度為8000mg/L，污泥回流比為400%，混合液回流比為200%。
6.如權(quán)利要求1所述的高濃度難降解液晶電子工業(yè)廢水的深度處理方法，其特征在于：步驟d)中所述活性炭過濾器底層設(shè)置石英砂墊層和反沖洗裝置，所述活性炭過濾器內(nèi)部還設(shè)有活性炭，所述活性炭為煤質(zhì)炭或椰殼炭;所述精密過濾器的過濾孔徑為5微米。
7.如權(quán)利要求1所述的高濃度難降解液晶電子工業(yè)廢水的深度處理方法，其特征在于：步驟e)中所述RO反滲透膜分離裝置包括反滲透膜，所述反滲透膜的膜通量不大于18LMH。
說明書
高濃度難降解液晶電子工業(yè)廢水的深度處理方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及液晶電子工業(yè)廢水深度處理技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高濃度難降解液晶電子工業(yè)廢水的深度處理方法。
背景技術(shù)
液晶電子工業(yè)行業(yè)是重污染行業(yè)，其生產(chǎn)工藝過程復(fù)雜，涉及到種類繁多的化學(xué)品，各工序產(chǎn)生的工藝廢水、廢液種類比較多，污水成分復(fù)雜，液晶電子廢水包括無機廢水和有機廢水，無機廢水中的主要污染物為氟化物、重金屬銅離子、磷酸鹽等，有機廢水中的主要污染物為有機氮、有機硫、高分子等難生物降解物質(zhì)，還含有一定濃度的季銨鹽、TMAH(四甲基氫氧化銨)等對微生物有強烈抑制作用或優(yōu)良?xì)⒕阅艿奈镔|(zhì)，其COD(化學(xué)需氧量)、氨氮和總氮濃度高，pH波動范圍大。
目前針對液晶電子廢水深度處理技術(shù)有化學(xué)混凝沉淀法、生物接觸氧化法、離子交換吸附法、膜分離法、臭氧活性炭法等，隨著國家新環(huán)保法出臺，對企業(yè)排放廢水水質(zhì)的要求越來越高，為了減少污染物排放總量，節(jié)約水資源，終端出水要求回用，回用水質(zhì)要達到《地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB3838-2002)Ⅳ類水標(biāo)準(zhǔn)，企業(yè)按照原有的常規(guī)處理工藝，難以達到高標(biāo)準(zhǔn)中水回用標(biāo)準(zhǔn)，急需開發(fā)出技術(shù)上可行，經(jīng)濟上高效組合的深度處理工藝。
因此，有必要提供一種新的廢水處理方法來解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠?qū)⒁壕щ娮訌U水轉(zhuǎn)換成達標(biāo)的中水的高濃度難降解液晶電子工業(yè)廢水的深度處理方法。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下：
一種高濃度難降解液晶電子工業(yè)廢水的深度處理方法，包括以下步驟：
a)收集無機廢水，將無機廢水送入無機調(diào)節(jié)池，無機調(diào)節(jié)池調(diào)節(jié)出水量，無機調(diào)節(jié)池的出水進入第一物化反應(yīng)池，加入強酸或者強堿調(diào)節(jié)PH值，將調(diào)節(jié)好的PH值記為第一PH值，加入氯化鈣，第一物化反應(yīng)池的出水進入絮凝池，加入混凝劑和絮凝劑，使無機廢水中的重金屬離子及重金屬化合物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)沉淀;絮凝池的出水進入第一高效澄清器進行泥水分離，去除沉淀后的氟化物、重金屬離子及重金屬化合物;
收集有機廢水，將有機廢水送入有機調(diào)節(jié)池，有機調(diào)節(jié)池調(diào)節(jié)出水量，有 機調(diào)節(jié)池的出水進入第二物化反應(yīng)池，加入強酸或者強堿調(diào)節(jié)PH值，將調(diào)節(jié)好的PH值記為第二PH值，加入混凝劑和絮凝劑，第二物化反應(yīng)池的出水進入第二高效澄清器進行泥水分離;
b)將所述第一高效澄清器和所述第二高效澄清器的出水排入水解酸化厭氧池中混合，所述水解酸化厭氧池中設(shè)有懸掛式塑料生物填料，經(jīng)過水解酸化厭氧生物處理工藝，將廢水中難降解的有機大分子轉(zhuǎn)化為易降解的有機小分子，出水經(jīng)過好氧池和缺氧池處理后去除有機物、總氮、氨氮;
c)將去除有機物、總氮和氨氮后的廢水排入膜生物反應(yīng)池中處理;
d)將膜生物反應(yīng)池的出水排入活性炭過濾器，進行過濾和反沖洗處理，出水經(jīng)過紫外線殺菌消毒，加入阻垢劑和還原劑，調(diào)節(jié)PH值后排入精密過濾器中進行過濾;
e)將精密過濾器的出水排入RO反滲透膜分離裝置處理，形成中水。
優(yōu)選的，步驟a)中所述第一PH值為8.5，所述第二PH值為8，所述混凝劑包括聚合氯化鋁，所述絮凝劑包括聚丙烯酰胺，所述強堿包括氫氧化鈉，所述強酸包括硫酸。
優(yōu)選的，步驟b)中所述水解酸化厭氧池內(nèi)設(shè)有用于使所述膜生物反應(yīng)池內(nèi)的污泥回流的水下潛水?dāng)嚢铏C。
優(yōu)選的，步驟b)中所述好氧池包括一級好氧池和二級好氧池，所述缺氧池包括一級缺氧池和二級缺氧池，所述水解酸化厭氧池的出水依次經(jīng)過所述一級缺氧池、一級好氧池、二級缺氧池和二級好氧池進行處理;一級缺氧池水力停留時間為7小時，一級缺氧池中的反硝化負(fù)荷為0.02kgNO3-N/kgMLVSS.d,污泥濃度為4500mg/L;一級好氧池水力停留時間為15小時，污泥負(fù)荷為0.194kgBOD5/kgMLSS.d，污泥濃度為5500mg/L，氣水比為23:1;二級缺氧池水力停留時間為4.8小時，反硝化負(fù)荷為0.02kgNO3-N/kgMLVSS.d，污泥濃度為4500mg/L;二級好氧池水力停留時間為12小時，污泥負(fù)荷為0.06kgBOD5/kgMLSS.d，污泥濃度為6500mg/L，污泥齡為35d(天)，氣水比為10:1。
優(yōu)選的，步驟c)中所述膜生物反應(yīng)池內(nèi)設(shè)有膜體，所述膜體包括中空纖維PVDF膜，所述中空纖維PVDF膜的膜孔徑為0.1微米，平均膜通量為18.3LMH，所述膜生物反應(yīng)池中的活性污泥濃度為6000-12000mg/L,溶解氧為2mg/L，所述膜生物反應(yīng)池的污泥濃度為8000mg/L，污泥回流比為400%，混合液回流比為200%。
優(yōu)選的，步驟d)中所述活性炭過濾器底層設(shè)置石英砂墊層和反沖洗裝置，所述活性炭過濾器內(nèi)部還設(shè)有活性炭，所述活性炭為煤質(zhì)炭或椰殼炭;所述精 密過濾器的過濾孔徑為5微米。
優(yōu)選的，步驟e)中所述RO反滲透膜分離裝置包括反滲透膜，所述反滲透膜的膜通量不大于18LMH。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明高濃度難降解液晶電子工業(yè)廢水的深度處理方法的有益效果在于：本發(fā)明將廢水經(jīng)過化學(xué)沉淀、水解酸化厭氧處理、二級缺氧好氧生化處理、膜生物反應(yīng)處理、RO膜反滲透處理高效組合，使廢水形成中水進行回用或達標(biāo)排放;本發(fā)明對廢水適應(yīng)性強，經(jīng)濟性好，處理成本較低，占地面積少，便于工程應(yīng)用及推廣。
