申請(qǐng)日2014.10.24
公開(kāi)(公告)日2015.04.29
IPC分類(lèi)號(hào)B01J27/224; C02F101/38; C02F1/32
摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種復(fù)合光催化劑SiC/CdLa2S4及其制備方法和應(yīng)用,本發(fā)明通過(guò)水熱法一步合成復(fù)合光催化劑基體物質(zhì)CdLa2S4,并通過(guò)煅燒的方法制備形貌規(guī)整的復(fù)合光催化劑,該復(fù)合光催化劑可以在紫外光照射下催化降解有機(jī)染料,特別是偶氮類(lèi)有機(jī)染料的效率高。
權(quán)利要求書(shū)
1.一種治理廢水污染的復(fù)合光催化劑SiC/CdLa2S4,其特 征在于,該復(fù)合光催化劑包括SiC和CdLa2S4,基于CdLa2S4重量 計(jì),SiC的重量分?jǐn)?shù)為0.1%~20%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合光催化劑,其特征在于,根 據(jù)X射線衍射分析,其在衍射角2θ約為18.03°、20.74°、24.72°、 26.50°、27.97°、30.29°、43.91°、52.05°、53.95°、35.65°、41.46°、 59.98°和75.26°處分別存在(111)、(200)、(120)、(121)、(220)、 (300)、(303)、(422)、(501)、(111)、(200)、(220)、(203)晶面 衍射峰。
3.一種制備權(quán)利要求1所述的復(fù)合光催化劑的方法,其特 征在于,該方法包括以下步驟:
(1)CdLa2S4的制備,包括以下子步驟:
(1-1)將Cd(NO3)2·4H2O、La(NO3)3·6H2O及硫脲置于水中, 在高溫下恒溫反應(yīng),制得沉淀物;
(1-2)將步驟(1-1)中制得的沉淀物從反應(yīng)體系中分離 出來(lái),洗滌、干燥,得CdLa2S4樣品;
(2)復(fù)合光催化劑SiC/CdLa2S4的制備,包括以下子步驟:
(2-1)分別稱(chēng)取步驟(1)中制備的CdLa2S4和SiC進(jìn)行混 合研磨,將研磨后的混合粉末置于盛有溶劑的容器中;
(2-2)去除溶劑、干燥、煅燒,煅燒后冷卻,得到復(fù)合光 催化劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,在步驟(1) 之后,步驟(2)之前,還包括以下步驟:
(1’)SiC的預(yù)處理,該步驟包括以下子步驟:
(1’-1)將SiC粉末在高溫下煅燒,再在HF溶液中浸漬,制 得SiC懸濁液;
(1’-2)將步驟(1’-1)制得的SiC懸濁液進(jìn)行分離,并對(duì) 分離得到的固體洗滌、干燥,制得SiC樣品。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法,其特征在于,步驟(1-1) 中,
Cd(NO3)2·4H2O的摩爾量以其中的Cd元素的摩爾量計(jì), La(NO3)3·6H2O的摩爾量以其中的La元素的摩爾量計(jì),硫脲的摩 爾量以其中的S元素的摩爾量計(jì),使Cd(NO3)2·4H2O的摩爾量、 La(NO3)3·6H2O的摩爾量和硫脲的摩爾量之比為Cd(NO3)2·4H2O: La(NO3)3·6H2O:硫脲=1:(2~3):(4~8);和/或
溫度為100~170℃,優(yōu)選120~165℃,更優(yōu)選140~160℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法,其特征在于,步驟 (1’-1)中,煅燒溫度為300℃~900℃;和/或氫氟酸溶液的濃 度為0.1%~5%。
7.根據(jù)權(quán)利要求3至6之一所述的方法,其特征在于,步驟 (2-2)中煅燒溫度為300℃~900℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合光催化劑或根據(jù)權(quán)利要 求3至7之一所述的方法制備的復(fù)合光催化劑在治理有機(jī)染料污 水,特別是偶氮類(lèi)染料污水方面的應(yīng)用。
說(shuō)明書(shū)
一種治理廢水污染的復(fù)合光催化劑及其制備與應(yīng)用
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光催化領(lǐng)域,涉及一種復(fù)合光催化劑及其制備 與應(yīng)用,特別涉及治理廢水污染的復(fù)合光催化劑SiC/CdLa2S4及其制備與應(yīng)用。
背景技術(shù)
近年來(lái),隨著工業(yè)生產(chǎn)的快速發(fā)展,環(huán)境污染問(wèn)題一直受 到人們的普遍關(guān)注。隨著治理工業(yè)污染技術(shù)的不斷提高,光催 化技術(shù),即利用太陽(yáng)能對(duì)污染物進(jìn)行光催化降解技術(shù)在環(huán)境治 理方面的研究越來(lái)越深入。
研究光催化劑的另一條思路是尋找新型光催化劑。目前, 對(duì)可用于光催化的半導(dǎo)體化合物的開(kāi)發(fā)不再是尋找自然界中存 在的半導(dǎo)體化合物,而是趨向于人工合成半導(dǎo)體化合物,如 CdLa2S4等,然而,單純以該化合物作為光催化劑的光催化效率 不高。
因此,亟需開(kāi)發(fā)一種既有良好的光催化降低有機(jī)染污物效 果的光催化劑。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問(wèn)題,本發(fā)明人進(jìn)行了銳意研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn): 以Cd(NO3)2·4H2O、La(NO3)3·6H2O和硫脲作為起始反應(yīng)原料, 通過(guò)水熱法一步反應(yīng)制備CdLa2S4,對(duì)制得的產(chǎn)物經(jīng)簡(jiǎn)單處理 后,再將碳化硅(SiC)與處理后的CdLa2S4粉末混合均勻,充 分研磨,并在高溫下煅燒,制得復(fù)合光催化劑,該制得的復(fù)合 光催化劑既可以在光照條件下催化降解水中的有機(jī)染料污染 物,特別是偶氮類(lèi)有機(jī)染料。
本發(fā)明的目的在于提供以下方面:
第一方面,一種復(fù)合光催化劑SiC/CdLa2S4,其特征在于, 該復(fù)合光催化劑包括SiC和CdLa2S4,其中,基于CdLa2S4的重量 計(jì),SiC的重量分?jǐn)?shù)為0.1%~20%;
其X射線衍射光譜(XRD)在衍射角2θ約為18.03°、20.74°、 24.72°、26.50°、27.97°、30.29°、43.91°、52.05°、53.95°、35.65°、 41.46°、59.98°和75.26°處分別存在(111)、(200)、(120)、(121)、 (220)、(300)、(303)、(422)、(501)、(111)、(200)、(220)、(203) 晶面衍射峰。
第二方面,本發(fā)明提供一種制備上述復(fù)合光催化劑的方法, 該方法包括以下步驟:
(1)CdLa2S4的制備,包括以下子步驟:
(1-1)將Cd(NO3)2·4H2O、La(NO3)3·6H2O及硫脲置于水中, 在高溫下恒溫反應(yīng),制得沉淀物;
(1-2)將步驟(1-1)中制得的沉淀物從反應(yīng)體系中分離 出來(lái),洗滌、干燥,得CdLa2S4樣品;
(2)復(fù)合光催化劑SiC/CdLa2S4的制備,包括以下子步驟:
(2-1)分別稱(chēng)取步驟(1)中制備的CdLa2S4和SiC進(jìn)行混 合研磨,將研磨后的混合粉末置于盛有溶劑的容器中;
(2-2)去除溶劑、干燥,再在高溫下煅燒,煅燒后冷卻, 得到復(fù)合光催化劑。
第三方面,本發(fā)明還提供上述復(fù)合光催化劑在治理污水, 特別是染料污水方面的應(yīng)用,其中,所述染料優(yōu)選為偶氮類(lèi)染 料。