申請日2014.11.10
公開(公告)日2015.03.25
IPC分類號C23C14/35; C02F103/02; C02F9/04; C02F1/00
摘要
本發(fā)明公開了一種濺射源水處理裝置和水處理方法,其中,所述裝置包括依次設(shè)置的進(jìn)水管(1)、濺射源組件(2)和出水管(3),其中,所述濺射源組件(2)中還包括有至少一個表面附著有陶瓷薄膜的磁體(4)。本發(fā)明通過將濺射源組件中的磁體表面附著有陶瓷薄膜,從而使得在實際使用過程中,當(dāng)水通過濺射源組件時,使得濺射源組件中最易于被腐蝕的磁體得到保護(hù),進(jìn)而使得該濺射源組件的被腐蝕程度大大降低,從而使得濺射裝置得到有效的保護(hù),大大增加其使用壽命。
權(quán)利要求書
1.一種濺射源水處理裝置,其特征在于,所述裝置包括依次設(shè)置的進(jìn) 水管(1)、濺射源組件(2)和出水管(3),其中,所述濺射源組件(2)中 還包括有至少一個表面附著有陶瓷薄膜的磁體(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述進(jìn)水管(1)和所述 濺射源組件(2)之間還設(shè)置有水處理設(shè)備,且所述水處理設(shè)備中包括過濾 單元(5),所述過濾單元(5)的過濾粒徑不大于25μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其特征在于,所述水處理裝置中還包 括連接于所述過濾單元(5)的離子交換單元(6),且所述離子交換單元(6) 中填充有離子交換樹脂。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其特征在于,所述水處理裝置中還包 括連接于所述過濾單元(5)的水清潔單元(7),且所述水清潔單元(7)中 至少包括水清潔劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置,其特征在于,所述水清潔劑為溶氧劑 和/或腐蝕抑制劑。
6.一種水處理方法,其特征在于,所述方法使用權(quán)利要求5所述的裝 置,所述方法包括將冷卻水依次流經(jīng)進(jìn)水管(1)、磁體(4)上附著有陶瓷 薄膜的濺射源組件(2)和出水管(3)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述方法還包括將冷卻 水流經(jīng)過濾單元(5)后再流經(jīng)濺射源組件(2),以將冷卻水中粒徑大于25μm 的雜質(zhì)濾除。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法還包括將冷卻 水流經(jīng)離子交換單元(6),所述離子交換單元(6)連接于所述過濾單元(5) 以去除冷卻水中的離子。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法還包括將冷卻 水流經(jīng)含有水清潔劑的水清潔單元(7)。
說明書
濺射源水處理裝置和水處理方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及濺射源中的冷卻水的處理領(lǐng)域,具體地,涉及一種濺射源水 處理裝置和水處理方法。
背景技術(shù)
在磁控濺射裝置中,都需要采用冷卻水,且該冷卻水會流入該磁控濺射 裝置中的濺射源組件中,但是濺射源組件在使用過程中,往往會因其內(nèi)部結(jié) 構(gòu)的材料間彼此電勢序列不同,因而產(chǎn)生較多的置換等化學(xué)反應(yīng),尤其是濺 射源組件中的磁體,極易與其發(fā)生反應(yīng)。
因此,提供一種對濺射源組件腐蝕較小,延長磁體使用壽命的濺射源水 處理裝置和水處理方法是本發(fā)明亟需解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中磁控濺射裝置中 的水對濺射源組件在使用過程中腐蝕較大的問題,從而提供一種對濺射源組 件腐蝕較小,延長磁體使用壽命的濺射源水處理裝置和水處理方法。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種濺射源水處理裝置,其中,所述 裝置包括依次設(shè)置的進(jìn)水管、濺射源組件和出水管,其中,所述濺射源組件 中還包括有至少一個表面附著有陶瓷薄膜的磁體。
優(yōu)選地,所述進(jìn)水管和所述濺射源組件之間還設(shè)置有水處理設(shè)備,且所 述水處理設(shè)備中包括過濾單元,所述過濾單元的過濾粒徑不大于25μm。
優(yōu)選地,所述水處理裝置中還包括連接于所述過濾單元的離子交換單 元,且所述離子交換單元中填充有離子交換樹脂。
優(yōu)選地,所述水處理裝置中還包括連接于所述過濾單元的水清潔單元, 且所述水清潔單元中至少包括水清潔劑。
優(yōu)選地,所述水清潔劑為溶氧劑和/或腐蝕抑制劑。
本發(fā)明還提供了一種水處理方法,其中,所述方法使用上述所述的裝置, 所述方法包括將冷卻水依次流經(jīng)進(jìn)水管、磁體上附著有陶瓷薄膜的濺射源組 件和出水管。
優(yōu)選地,所述方法還包括將冷卻水流經(jīng)過濾單元后再流經(jīng)濺射源組件, 以將冷卻水中粒徑大于25μm的雜質(zhì)濾除。
優(yōu)選地,所述方法還包括將冷卻水流經(jīng)離子交換單元,所述離子交換單 元連接于所述過濾單元以去除冷卻水中的離子。
優(yōu)選地,所述方法還包括將冷卻水流經(jīng)含有水清潔劑的水清潔單元。
根據(jù)上述技術(shù)方案,本發(fā)明通過將濺射源組件中的磁體表面附著有陶瓷 薄膜,從而使得在實際使用過程中,當(dāng)水通過濺射源組件時,使得濺射源組 件中最易于被腐蝕的磁體得到保護(hù),進(jìn)而使得該濺射源組件的被腐蝕程度大 大降低,從而使得濺射裝置得到有效的保護(hù),大大增加其使用壽命。
本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細(xì)說明。