一、項(xiàng)目基本情況
原公告的采購(gòu)項(xiàng)目編號(hào)：GXTC-A1-24630855　　　　　　
原公告的采購(gòu)項(xiàng)目名稱：北京理工大學(xué)無(wú)掩膜深硅刻蝕檢測(cè)一體化系統(tǒng)采購(gòu)　　　　　　
首次公告日期：2024年12月06日　　　　　　

二、更正信息
更正事項(xiàng)：采購(gòu)文件
更正內(nèi)容：

1、原招標(biāo)文件“第一章 投標(biāo)邀請(qǐng)”附件中“主要技術(shù)要求”：
附件：
（一）無(wú)掩膜高深比切割與檢測(cè)設(shè)備
1. #最大峰值刻蝕功率≥2000w。
2. 平均刻蝕功率≥100w。
3. #平臺(tái)測(cè)試定位精度：不高于± 0.2μm。
4. 需要包含惰性氣體保護(hù)系統(tǒng)。
5. 刻蝕速度范圍包括50~1000μm/min。
6. 光學(xué)放大倍率范圍包括4~10倍。
7. 精密測(cè)量模塊定位精度：不高于± 0.2μm。
8. 直線度：不高于± 0.4μm。
9. #測(cè)量行程≥200 mm。
10. 輸出頻率包括0~40Mhz。
11. #輸出通道≥2。
12. 上升/下降時(shí)間≤9 ns。
13. 測(cè)試波長(zhǎng)范圍包括400~1100nm。
14. 相位分辨率≤2 nm。
15. 具有高速Hyperwire光纖通訊接口。
16. 支持.Net及C++等編程語(yǔ)言二次開發(fā)。
17. ★最大刻蝕深度≥20 mm。
（二）離子增強(qiáng)刻蝕設(shè)備
1.晶圓大�。核挠⒋纭�
2.工藝腔內(nèi)徑≤300mm，內(nèi)壁需要經(jīng)耐腐氧化處理。
3.工藝腔內(nèi)壁需要帶有內(nèi)襯，內(nèi)襯表面需要經(jīng)耐腐氧化處理。
4.工藝腔內(nèi)壁加熱范圍應(yīng)包括20~120℃。 
5.上功率源功率范圍應(yīng)包含10~2000W，支持預(yù)置匹配點(diǎn)，支持脈沖功能。
6.上功率源需要支持固定匹配點(diǎn)運(yùn)行，允許反射功率在40%設(shè)定功率值的情況下連續(xù)運(yùn)行。
7.#上功率兩路輸出，調(diào)節(jié)等離子體分布。
8.#采用立體等離子體源，石英耦合窗，使用立體螺旋功率耦合天線，支持遠(yuǎn)等離子體技術(shù)。 
9.#載片臺(tái)直徑不小于160mm。
10.下功率源功率范圍應(yīng)包含0~600W，支持預(yù)置匹配點(diǎn)，支持脈沖功能。
11.#下功率源支持固定匹配點(diǎn)運(yùn)行，允許反射功率在40%設(shè)定功率值的情況下連續(xù)運(yùn)行。
12.可控制基片表面溫度，控溫范圍為-20℃~10℃。
13.真空系統(tǒng)分子泵抽速≥1000L/s。
14.#工藝腔本底極限真空度達(dá)到5E-4Pa以上。
15.氣體配置包含如下氣體管路：Ar、O2、CHF3、CF4、SF6、C4F8。
16.#采用質(zhì)量流量計(jì)（MFC）控制氣體流量，MFC支持更改氣體種類與氣體量程。
17.★最大刻蝕深度大于300um。
現(xiàn)更正為：
附件：
（一）無(wú)掩膜高深比切割與檢測(cè)設(shè)備
1. #最大峰值刻蝕功率≥2000w，平均刻蝕功率≥100w。
2. 精密測(cè)量模塊定位精度不高于± 0.2μm，直線度不高于± 0.4μm。
3. #平臺(tái)測(cè)試定位精度：不高于± 0.2μm。
4. 需要包含惰性氣體保護(hù)系統(tǒng)。
5. 刻蝕速度范圍包括50~1000μm/min。
6. 光學(xué)放大倍率范圍包括4~10倍。
7. #測(cè)量行程≥200 mm。
8. #輸出通道≥2，輸出頻率包括0~40Mhz。
9. 上升/下降時(shí)間≤9 ns。
10. 測(cè)試波長(zhǎng)范圍包括400~1100nm，相位分辨率≤2 nm。
11. 具有高速Hyperwire光纖通訊接口。
12. 支持.Net及C++等編程語(yǔ)言二次開發(fā)。
13. ★最大刻蝕深度≥20 mm。
14. 相位與強(qiáng)度采樣≥182×136。
15. 相位測(cè)試空間分辨率≤27.6μm。
16. 樣品托盤最大直徑≥6英寸，向下兼容更小的晶圓片或不規(guī)則碎片。
17. 不同尺寸樣品之間需要可以自動(dòng)切換，控制系統(tǒng)需要可以全部組件進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。
 
（二）離子增強(qiáng)刻蝕設(shè)備
隔離槽刻蝕機(jī)臺(tái)模塊：
1.晶圓大小：四英寸。
2.工藝腔內(nèi)徑≤300mm，內(nèi)壁需要經(jīng)耐腐氧化處理。
3.工藝腔內(nèi)壁需要帶有內(nèi)襯，內(nèi)襯表面需要經(jīng)耐腐氧化處理。
4.工藝腔內(nèi)壁加熱范圍應(yīng)包括20~120℃。 
5.上功率源功率范圍應(yīng)包含10~2000W，支持預(yù)置匹配點(diǎn)，支持脈沖功能。
6.上功率源需要支持固定匹配點(diǎn)運(yùn)行，允許反射功率在40%設(shè)定功率值的情況下連續(xù)運(yùn)行。
7.#上功率兩路輸出，調(diào)節(jié)等離子體分布。
8.#采用立體等離子體源，石英耦合窗，使用立體螺旋功率耦合天線，支持遠(yuǎn)等離子體技術(shù)。 
9.#載片臺(tái)直徑不小于160mm。
10.下功率源功率范圍應(yīng)包含0~600W，支持預(yù)置匹配點(diǎn)，支持脈沖功能。
11.#下功率源支持固定匹配點(diǎn)運(yùn)行，允許反射功率在40%設(shè)定功率值的情況下連續(xù)運(yùn)行。
12.可控制基片表面溫度，控溫范圍為-20℃~10℃。
13.真空系統(tǒng)分子泵抽速≥1000L/s。
14.#工藝腔本底極限真空度達(dá)到5E-4Pa以上。
15. #氣體配置包含如下氣體管路：Ar、O2、CHF3、CF4、SF6、C4F8。
16.#采用質(zhì)量流量計(jì)（MFC）控制氣體流量，MFC支持更改氣體種類與氣體量程。
17.★最大刻蝕深度大于300um。
不大于1000mm。
離子增強(qiáng)刻蝕監(jiān)測(cè)模塊：
26. #獨(dú)立DAC電壓輸出通道≥12個(gè)。
27.輸出電壓精度≥24位。
28.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)≥120dB。
29.積分時(shí)間常數(shù)范圍包括:1us-500s。
30. #極限壓強(qiáng)≤8×10-5Pa，
31.水氧指標(biāo)：＜1ppm