一、項(xiàng)目基本情況
原公告的采購項(xiàng)目編號(hào)：GXTC-A1-24630855　　　　　　
原公告的采購項(xiàng)目名稱：北京理工大學(xué)無掩膜深硅刻蝕檢測一體化系統(tǒng)采購公開招標(biāo)公告　　　　　　
首次公告日期：2024年12月06日　　　　　　

二、更正信息
更正事項(xiàng)：采購公告
更正內(nèi)容：

1、原招標(biāo)公告中附件中“主要技術(shù)要求”：
附件：
主要技術(shù)要求
無掩膜深硅刻蝕檢測一體化系統(tǒng)主要包括設(shè)備如下：
無掩膜高深比切割與檢測設(shè)備1臺(tái)：該設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)高深寬比的加工，根據(jù)需要快速調(diào)整加工圖案，適應(yīng)不同的加工需求。此外該設(shè)備無需掩膜版，因此減少了掩膜版的制作和更換成本，實(shí)現(xiàn)小批量、多品種的快速加工。
離子增強(qiáng)刻蝕設(shè)備1臺(tái)：通過化學(xué)反應(yīng)或物理方法去除硅基材料，以形成深溝槽或高深寬比結(jié)構(gòu)的工藝設(shè)備。其基于化學(xué)反應(yīng)刻蝕或高能離子束刻蝕，通過化學(xué)反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)，從而去除硅基材料。而在高能離子束刻蝕中，則利用離子束對硅片進(jìn)行轟擊，使硅片表面的原子被剝離，形成所需的結(jié)構(gòu)。
注：其他技術(shù)要求詳見招標(biāo)文件
現(xiàn)更正為：
附件：
主要技術(shù)要求
無掩膜深硅刻蝕檢測一體化系統(tǒng)主要包括設(shè)備如下：
無掩膜高深比切割與檢測設(shè)備1臺(tái)：該設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)高深寬比的加工，根據(jù)需要快速調(diào)整加工圖案，適應(yīng)不同的加工需求。此外該設(shè)備無需掩膜版，因此減少了掩膜版的制作和更換成本，實(shí)現(xiàn)小批量、多品種的快速加工。